PN8161通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現(xiàn)了超低的待機功耗、全電壓范圍下的優(yōu)秀效率。頻率調制技術和SoftDriver技術充分保證良好的EMI表現(xiàn)，驪微電子代理的PN8161廣泛被應用于充電器、適配器、開放式開關電源等領域。

PN8161高性能準諧振交直流轉換芯片內(nèi)部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能，包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。

谷底開通
PN8161是一款工作于準諧振模式的集成芯片，通過DMG檢測到的消磁信號實現(xiàn)精確谷底開
通，以提高系統(tǒng)的轉換效率。在PWM模式，由第一谷底產(chǎn)生開啟信號，工作頻率由系統(tǒng)設計的變壓器參數(shù)決定，高工作頻率限制在125kHz。
過溫保護
功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制電路更易于檢測MOSFET的溫度。當溫度超
145℃，芯片進入過溫保護狀態(tài)。
降頻工作模式
PN8161提供降頻工作模式，通過檢測FB腳電壓，在輕載和空載條件下降低開關頻率以提高輕載效率。當FB腳電壓小于 V FB_PFM ，芯片進入降頻工作模式，開關頻率隨負載降低而降低，直至小頻率25kHz。

軟啟動
啟動階段，漏極的大峰值電流限制逐步的提高；可以大大減小器件的應力，防止變壓器飽和。軟啟動時間典型值為3.2ms。
輸出驅動
PN8161采用優(yōu)化的圖騰柱結構驅動技術，通過合理的輸出驅動能力以及死區(qū)時間，得到較好的EMI特性和較低損耗。
PN8161功能描述:
啟動：
在啟動階段，內(nèi)部高壓啟動管提供1mA電流對外部V DD 電容進行充電。當V DD 電壓達到 VDDon ，芯片開始工作；高壓啟動管停止對V DD 電容充電。啟動過程結束后，變壓器輔助繞組對V DD 電容提供能量。

http://